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產(chǎn)品信息產(chǎn)品說明：◆應(yīng)用于電力電子器件及電子功能材料的精密真空燒結(jié)、退火等工藝◆鉬絲/帶等加熱（六面/全面加熱）實現(xiàn)高均勻精度的燒結(jié)熱處理工藝◆高潔凈、高溫、高...

產(chǎn)品信息簡介：主要用于高性能釤鈷、釹鐵硼等磁性材料、功能材料的精密真空氣氛燒結(jié)等工藝產(chǎn)品說明：◆精密真空氣氛燒結(jié)、退火時效（快冷）等工藝◆高均勻性

產(chǎn)品信息簡介：主要用于高性能釤鈷、釹鐵硼等磁性材料、功能材料的精密真空氣氛燒結(jié)、退火（快冷）等工藝產(chǎn)品說明：◆雙室/多室結(jié)構(gòu)（工藝腔、裝卸料冷卻腔）

產(chǎn)品信息主要用于高性能稀土永磁材料如釹磁鐵等磁性材料精細(xì)制粉工藝產(chǎn)品說明：◆水平結(jié)構(gòu)

產(chǎn)品信息簡介：1500高溫氧化爐系統(tǒng)應(yīng)用于246SiC或Si晶圓片的高溫氧化等的特殊工藝

產(chǎn)品信息簡介：2200高溫退火爐系統(tǒng)應(yīng)用于246SiC或GaN的高溫退火、活化等的特殊工藝

產(chǎn)品信息簡介：采用VGF、VB法生長晶體材料，應(yīng)用于鍺單晶、砷化鎵、磷化銦等化合物晶體的生長工藝

產(chǎn)品信息簡介：應(yīng)用于化合物晶體材料（如Ge、HgCdTe等）的區(qū)熔、生長、提純等工藝

產(chǎn)品信息簡介：用于在藍寶石、碳化硅等襯底上外延生長GaN薄膜、厚膜及晶體生長，及AIN等外延生長

產(chǎn)品信息簡介：用于在藍寶石、碳化硅等襯底上外延生長GaN薄膜、厚膜及晶體生長，及AIN等外延生長

產(chǎn)品信息產(chǎn)品性能：◆滿足2~8（12）寸晶圓工藝◆占地面積小

產(chǎn)品信息簡介：垂直氧化系統(tǒng)應(yīng)用于IC集成電路、MEMS、電力電子器件、光電子器件等領(lǐng)域，6、8晶圓的薄膜沉積及參雜等工藝

產(chǎn)品信息簡介：垂直氧化系統(tǒng)應(yīng)用于IC集成電路、MEMS、電力電子器件、光電子器件等領(lǐng)域，6、8晶圓的氧化、合金退火等工藝

產(chǎn)品信息簡介：水平氧化爐、水平擴散爐應(yīng)用于IC集成電路、MEMS、功率器件、電力電子器件、光電子器件、太陽能電池等領(lǐng)域

產(chǎn)品信息簡介：水平LPCVD系統(tǒng)應(yīng)用于IC集成電路、MEMS、功率器件、納米技術(shù)、光電子器件等領(lǐng)域

產(chǎn)品信息簡介：RTP系統(tǒng)用于IC集成電路，MEMS器件、光電子器件、LED、太陽能電池領(lǐng)域，適用于晶圓的快速熱處理工藝

產(chǎn)品信息產(chǎn)品性能：◆滿足2~8（12）寸晶圓工藝◆占地面積小