通過樣品臺減速技術(shù)（Tandem decel，新型蔡司Gemini電子光學(xué)系統(tǒng)的一項功能）實現(xiàn)低電壓電子束分辨率提升高達30%。

使用Gemini電子光學(xué)系統(tǒng)，您可以從高分辨率掃描電鏡（SEM）圖像中獲取真實的樣品信息。

在進行高度靈敏表面二維成像或三維斷層成像時，您可以信賴蔡司雙束電鏡Crossbeam系列的性能。

即使在使用非常低的加速電壓時也可獲得高分辨率、高對比度和高信噪比的清晰圖像。

借助一系列的探測器實現(xiàn)樣品的表征；使用的Inlens EsB探測器獲得更純的材料成分襯度。

使用低電壓表征不導(dǎo)電樣品，消除荷電效應(yīng)的影響。

得益于智能聚焦離子束（FIB）的掃描策略，移除材料相比以往實驗快40%以上。

鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor采用了全新的加工方式：盡可能減少樣品損傷，提升樣品質(zhì)量，從而加快實驗進程。

使用高達100 nA的離子束束流，高效而精確地處理樣品，并保持高分辨率。

制備TEM樣品時，請使用鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor的低電壓功能：獲得超薄樣品的同時，盡可能降低非晶化損傷。

體驗整合的三維能譜和EBSD分析所帶來的優(yōu)勢。

在切割、成像或執(zhí)行三維分析時，Crossbeam系列將提升您的FIB應(yīng)用效率。

使用*的快速精準(zhǔn)三維成像及分析軟硬件包——Altas 5來擴展您的Crossbeam性能。

使用Atlas 5中集成的三維分析模塊可在三維斷層成像過程中進行EDS和EBSD分析。

雙束電鏡的斷層成像可獲得優(yōu)異的三維空間分辨率和各向同性的三維體素尺寸；使用Inlens EsB探測器探測小于3 nm的深度，可獲得極表面的材料成分襯度圖像。

在加工過程中收集連續(xù)切片圖像以節(jié)省時間；精確的體素尺寸和自動流程保證圖像質(zhì)量。