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BATOP反射鏡和長(zhǎng)通濾光片，鍍金膜反射鏡，LT-GaAs低溫砷化鎵基片外延生長(zhǎng)定制

BATOP反射鏡和長(zhǎng)通濾光片，如果需要尺寸只有幾毫米的反射鏡或長(zhǎng)通濾波器，那么可以在單晶砷化鎵襯底上生產(chǎn)這種裝置。單晶砷化鎵的熱導(dǎo)率非常好，高達(dá)55w / (m * k) ，由于其立方晶體結(jié)構(gòu)，可以被切割成小的矩形晶片。德國(guó)BATOP公司的單晶砷化鎵基底產(chǎn)品主要分為：寬帶鍍金膜反射鏡，AlAs / GaAs布拉格反射鏡，900nm長(zhǎng)通濾光片。

BATOP還可以在砷化鎵基底上提供生長(zhǎng)AlAs，GaAs，InAs，AlGaAs，AlInAs 和 InGaAs 等多種材料的高質(zhì)量外延薄膜層。

寬帶鍍金膜反射鏡：

如果需要尺寸僅為幾mm的非常小的寬帶鏡，那么鍍金的GaAs芯片是合適的。作為反射金層的基板的單晶GaAs晶片具有非常光滑的表面和55W /（m * K）的良好導(dǎo)熱率。它可以切割成小的正方形或矩形芯片。鍍金膜反射鏡可用作波長(zhǎng)> 800 nm的寬帶反射器。隨著波長(zhǎng)的增加，反射率還會(huì)不斷增加。BATOP提供未安裝的金鏡，標(biāo)準(zhǔn)基板厚度為450μm

可用芯片面積：

4.0mmx 4.0mm

2.0mmx 2.0mm

1.3mmx 1.3mm

根據(jù)要求定制尺寸

鍍金膜反射鏡型號(hào)：

型號(hào)	規(guī)格	價(jià)格
Au-M-4x4	• Thin gold film on single crystalline GaAs • Chip area: 4 mm x 4 mm • Chip thickness: 450 µm	€ 70
Au-M-2x2	• Thin gold film on single crystalline GaAs • Chip area: 2 mm x 2 mm • Chip thickness: 450 µm	€ 60
Au-M-1.3x1.3	• Thin gold film on single crystalline GaAs • Chip area: 1.3 mm x 1.3 mm • Chip thickness: 450 µm	€ 50

AlAs / GaAs布拉格反射鏡

如果需要尺寸只有幾毫米的非常小的高反射率反射鏡，那么 GaAs 芯片上的單晶 AlAs / GaAs布拉格反射鏡是合適的。單晶砷化鎵晶片具有非常光滑的表面和55w / m * k的良好熱導(dǎo)率。方便切割成各種尺寸，海納光學(xué)提供標(biāo)準(zhǔn)基片厚度為450μm的未安裝布拉格反射鏡

可用芯片面積：

4.0mmx 4.0mm

2.0mmx 2.0mm

1.3mmx 1.3mm

根據(jù)要求定制尺寸

1030nm AlAs / GaAs布拉格反射鏡型號(hào)：

型號(hào)	規(guī)格	價(jià)格
B-M-1030nm-4x4	• Single crystalline AlAs/GaAs Bragg mirror on GaAs • Central wavelength λ = 1030 nm • Chip area: 4 mm x 4 mm • Chip thickness: 450 µm	€ 70
B-M-1030nm-2x2	• Single crystalline AlAs/GaAs Bragg mirror on GaAs • Central wavelength λ = 1030 nm • Chip area: 2 mm x 2 mm • Chip thickness: 450 µm	€ 60
B-M-1030nm-1.3x1.3	• Single crystalline AlAs/GaAs Bragg mirror on GaAs • Central wavelength λ = 1030 nm • Chip area: 1.3 mm x 1.3 mm • Chip thickness: 450 µm	€ 50

900nm長(zhǎng)通濾波片

長(zhǎng)通吸收濾光片是用來(lái)去除長(zhǎng)波長(zhǎng)激光信號(hào)中的短波長(zhǎng)光(例如剩余的泵浦光)。

我們的長(zhǎng)通濾波器使用半絕緣砷化鎵晶體上的外延半導(dǎo)體吸收層。這種晶圓材料可以根據(jù)客戶的需要切成長(zhǎng)方形的小片。短波長(zhǎng)的光被濾光片吸收，然后轉(zhuǎn)換成熱量。為了去除熱量，必須使用適當(dāng)?shù)慕饘侔惭b件如散熱器。BATOP提供標(biāo)準(zhǔn)基片厚度為625μm的未安裝長(zhǎng)通濾波器。

可用芯片區(qū)域:

5.0 mm x 5.0 mm

4.0毫米 x4.0毫米

2.0 mm x 2.0 mm

900nm長(zhǎng)通濾光片型號(hào)：

LPF-900-5x5	LPF-900-4x4	LPF-900-2x2
在GaAs襯底上使用900 nm長(zhǎng)通濾波片	GaAs襯底上900 nm的長(zhǎng)通濾波片	GaAs襯底上的900 nm長(zhǎng)通濾波片
阻帶λ<880 nm	阻帶λ<880 nm	阻帶λ<880 nm
通帶λ> 950 nm	通帶λ> 950 nm	通帶λ> 950 nm
芯片面積：5 mm x 5 mm	芯片面積：4 mm x 4 mm	芯片面積：2 mm x 2 mm
芯片厚度：625μm	芯片厚度：625μm	芯片厚度：625μm

5.0 mm × 5.0 mm 過(guò)濾器用1 / 2"或1"銅散熱器，或定制尺寸

LPF-900-5x5-12.7gc	LPF-900-5x5-25.4gc
1/2“銅散熱片上的900nm長(zhǎng)通濾波器	1英寸銅散熱片上的長(zhǎng)通濾波器900nm
芯片面積5mmx 5mm	芯片面積5mmx 5mm
散熱片外徑12.7mm	散熱片外徑25.4mm米
中心孔直徑4mm的散熱片	中心孔直徑4 mm的散熱片
安裝方法：膠合	安裝方法：膠合

LT-GaAs低溫砷化鎵基片外延生長(zhǎng)定制

BATOP可在砷化鎵基底上提供生長(zhǎng) AlAs，GaAs，InAs，AlGaAs，AlInAs 和 InGaAs 等多種材料的高質(zhì)量外延薄膜層，用于 GaAs 晶片的不同應(yīng)用。某些應(yīng)用需要快速時(shí)間響應(yīng)器件，如光學(xué)探測(cè)器、飽和吸收器或光電導(dǎo)天線。我們提供低溫外延的生長(zhǎng)設(shè)備，響應(yīng)時(shí)間約為1 ps。BATOP提供的GaAs襯底上生長(zhǎng)的一個(gè)或兩個(gè)單層的砷化鎵。