隨著人們對(duì)空間應(yīng)用的望遠(yuǎn)鏡和相機(jī)的光學(xué)系統(tǒng)中使用的反射鏡性能提出了更高的要求, 在滿(mǎn)足輕量化要求的同時(shí), 還要求反射鏡材料具有可以在惡劣環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間工作的物理特性, 這就提出了低密度 / 高硬度 / 高彈性模量 / 高比剛度 / 低熱膨脹吸收 / 均勻線(xiàn)膨脹系數(shù)等高的參數(shù)標(biāo)準(zhǔn).

反射鏡的反射率取決于表面的粗糙度, 因此, 為了解決反應(yīng)燒結(jié)碳化硅存在的孔洞和雙金屬性問(wèn)題, 普遍采用通過(guò)給表面鍍制一層厚的硅或者碳化硅的方法, 一達(dá)到表面改性的目的.

碳化硅材料憑借其優(yōu)異的物理性能和良好的加工特性成為當(dāng)前空間應(yīng)用的主要新型反射鏡材料.

離子源輔助鍍膜的薄膜制備工藝已成為一種成熟、高效的方法. 霍爾離子源可以通過(guò)電離惰性氣體, 輸出離子流密度均勻并具有較高能量的等離子體.

KRI 霍爾離子源輔助制備碳化硅改性薄膜

某國(guó)內(nèi)精密光學(xué)制造商為了進(jìn)一步提高碳化硅反射鏡基底表面光學(xué)質(zhì)量, 滿(mǎn)足高質(zhì)量空間光學(xué)系統(tǒng)的應(yīng)用需求, 采用電子槍蒸發(fā)純硅, KRI 霍爾離子源噴出的氫離子電離甲烷, 并以離子輔助沉積的方法在反應(yīng)燒結(jié)碳化硅基底上鍍制了表面改性用碳化硅薄膜, 并對(duì)改性膜層進(jìn)行了光學(xué)拋光處理.

KRI 霍爾離子源 Gridless eH 系列產(chǎn)品特性:

1.無(wú)柵極

2.高電流低能量

3.發(fā)散光束 >45°

4.可快速更換陽(yáng)極模塊

5.可選 Cathode / Neutralize 中和器

在離子源工作之前, 鍍膜腔體需要將真空度抽至8x10-4 Pa, 該國(guó)內(nèi)精密光學(xué)制造商采用普發(fā) Pfeiffer Hipace 80 對(duì)鍍膜腔體進(jìn)行抽真空.

渦輪分子泵  HiPace 80 技術(shù)參數(shù)

伯東美國(guó) KRI 離子源和 Pfeiffer 分子泵 Hipace 80 滿(mǎn)足客戶(hù)的工藝需求. 制造商在該工藝條件下制備的碳化硅薄膜為α相, 通過(guò)高分辨光學(xué)顯微鏡對(duì)拋光后的反應(yīng)燒結(jié)碳化硅基底進(jìn)行缺陷觀(guān)察, 發(fā)現(xiàn)改性?huà)伖夂蠡妆砻嫒毕莺涂锥疵黠@減少.

這種鍍制碳化硅表面改性的方法在拋光后可以有效降低表面粗糙度, 并且散射值有了明顯的降低, 不到改性之前的1/8. 制備的碳化硅薄膜在冷人溫度沖擊下非常穩(wěn)定, 無(wú)脫膜、龜裂.

伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó)HVA 真空閥門(mén), 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口品牌的代理商.

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上海伯東: 羅女士