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美國 KRi 射頻離子源應(yīng)用于氧化物薄膜及異質(zhì)結(jié)制備系統(tǒng)
閱讀：295 發(fā)布時(shí)間：2023-11-1美國 KRi 射頻離子源應(yīng)用于氧化物薄膜及異質(zhì)結(jié)制備系統(tǒng)
上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 40 成功應(yīng)用于氧化物薄膜及異質(zhì)結(jié)制備系統(tǒng), 協(xié)助客戶完成 MgO, Y2O3, Al2O3 等金屬氧化物在 6寸單晶硅上均勻沉積多層膜的需要, 單晶硅鍍氧化薄膜的工藝過程, 用于研發(fā)磁學(xué)薄膜, 半導(dǎo)體薄膜, 光學(xué)薄膜和高溫超導(dǎo)薄膜等.
KRi 射頻離子源在氧化物薄膜及異質(zhì)結(jié)制備系統(tǒng)中的作用
設(shè)備: 氧化物薄膜及異質(zhì)結(jié)制備系統(tǒng)
離子源型號: KRi 射頻離子源 RFICP 40, 功率 600W, 頻率 2MHz
應(yīng)用: 通過 IBAD 輔助鍍膜工藝, 實(shí)現(xiàn)單晶硅氧化物薄膜的制備.
膜厚均勻性: 6 英寸樣品, 蒸 MgO 薄膜 200nm, 片內(nèi)測試 9 個(gè)點(diǎn). 片內(nèi)均勻性 ≤±5%, 片間膜厚均勻性 ≤±5%, 批次間膜厚均勻性≤±5%
真空環(huán)境下, KRi 射頻離子源通過向生長的薄膜中添加能量來增強(qiáng)分子動力學(xué), 以增加表面和原子 / 分子的流動性, 實(shí)現(xiàn)薄膜的致密化或通過向生長薄膜中添加活性離子來增強(qiáng)薄膜化合物的化學(xué)轉(zhuǎn)化, 從而得到需要的材料. 同時(shí) KRi 射頻離子源可以對工藝過程優(yōu)化, 無需加熱襯底, 對溫度敏感材料進(jìn)行低溫處理, 簡化反應(yīng)沉積.
美國 KRi 射頻離子源 RFICP 40 特點(diǎn):
RFICP 40 是美國 KRi 射頻離子源系列尺寸最小, 低成本高效離子源. 適用于集成在小型的真空腔體內(nèi). 設(shè)計(jì)采用創(chuàng)新的柵極技術(shù)用于研發(fā)和開發(fā)應(yīng)用, 無需電離燈絲設(shè)計(jì), 適用于通氣氣體是活性氣體時(shí)的工業(yè)應(yīng)用. 標(biāo)準(zhǔn)配置下 RFICP 40 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.
型號 | RFICP 40 |
Discharge 陽極 | RF 射頻, 電感耦合 |
離子束流 | >100 mA |
離子動能 | 100-1200 eV |
柵極直徑 | 4 cm Φ |
柵極材質(zhì) | 鉬或石墨 |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 3-10 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
長度 | 12.7 cm |
直徑 | 13.5 cm |
中和器 | LFN 2000 or RFN |
上海伯東美國 KRi RF 射頻離子源無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時(shí)間更長! 提供完整的系列, 包含離子源本體, 電子供應(yīng)器, 中和器, 自動控制器等. 適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.
上海伯東同時(shí)提供各類真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專. KRi 離子源在真空環(huán)境中實(shí)現(xiàn)薄膜沉積, 干式納米刻蝕和修改材料表面性能, 廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.
若您需要進(jìn)一步的了解 KRi 射頻離子源, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 羅小姐