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技術(shù)文章
KRi 離子源光通信應(yīng)用, 助力 5G技術(shù)發(fā)展
閱讀：175 發(fā)布時間：2023-9-18光通信的信息載體是光波, 為了進一步提高光通信系統(tǒng)中光信號的傳輸質(zhì)量, 滿足光通信系統(tǒng)的使用要求, 上海伯東美國 KRi 離子源通過離子束濺射, 輔助薄膜沉積等工藝在離子束鍍膜系統(tǒng)中實現(xiàn)光模塊, 光器件等薄膜元件的精密加工. 離子源典型應(yīng)用例如, 在光纖連接面鍍 AR 增透膜 (減反射膜), 達到減少光纖對光的損耗, 增加光的透過率, 減少反射的工藝效果.
與國產(chǎn)離子源對比, 上海伯東美國 KRi 射頻離子源主要特點
無需燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 單次工藝時間更長, 非常適用于復(fù)雜, 精密的多層薄膜制備
提供致密, 光滑, 無針孔, 耐用的薄膜
遠離等離子體: 低基材溫度, 不需要偏壓襯底
濺射任何材料, 不需要射頻濺射電源
清潔, 低污染工藝
優(yōu)良的反應(yīng)沉積工藝, 沉積原子為堅硬, 耐用的薄膜保留濺射能量
可控制的離子能量, 離子電流密度
KRi 離子源在 IBSD 離子束濺射沉積應(yīng)用
通常安裝兩個離子源
主要濺射沉積源和二次預(yù)清潔 / 離子輔助源
一次氣源為惰性氣體, 二次氣源為惰性或反應(yīng)性氣體
基板遠離濺射目標
工藝壓力在小于× 10-4 torr
美國 KRi RFICP 射頻離子源技術(shù)參數(shù)
型號 | RFICP 40 | RFICP 100 | RFICP 140 | RFICP 220 | RFICP 380 |
Discharge 陽極 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 |
離子束流 | >100 mA | >350 mA | >600 mA | >800 mA | >1500 mA |
離子動能 | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V |
柵極直徑 | 4 cm Φ | 10 cm Φ | 14 cm Φ | 20 cm Φ | 30 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 | ||||
流量 | 3-10 sccm | 5-30 sccm | 5-30 sccm | 10-40 sccm | 15-50 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | ||||
典型壓力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
長度 | 12.7 cm | 23.5 cm | 24.6 cm | 30 cm | 39 cm |
直徑 | 13.5 cm | 19.1 cm | 24.6 cm | 41 cm | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 | ||||
上海伯東同時提供真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.
若您需要進一步的了解 KRi 射頻離子源, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 羅小姐