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KRI 離子源用于UVC人機共存紫外濾光片鍍膜

2023
12-07

11:14:30

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218
來源:伯東貿(mào)易(深圳)有限公司

   

   紫外濾光片是一種光學元件, 通過使用分散在玻璃材料表面的光學薄膜控制入射光通過膜層后不同波長光的透反比. 222nm是紫外不可避免的一個波段, 因為其生物體透過率低, 被譽為對人體安全的紫外線.222nm遠紫外殺菌產(chǎn)品一定程度上解決了傳統(tǒng)紫外線不能直接照射人體的痛點問題, 兼顧了功能性和安全性, 實現(xiàn)了人機友好共存, 有效減少和滅殺身體表面多達99.9%的細菌和病原體.

 

   紫外線在222nm下工作對濾光片生產(chǎn)廠家來說是一項挑戰(zhàn), 因為許多常用材料在這個波段有較大的吸收、甚至不通光. 大多數(shù)干涉濾光片的設計都假設光只被透射或反射而不被吸收, 而遠紫外波段由于吸收較大、材料選擇有限, 鍍膜難以獲得較高的透過成為業(yè)內(nèi)的一個難題. 為了解決傳統(tǒng)紫外濾光片膜層光譜吸收嚴重等問題, 經(jīng)過推薦上海伯東某客戶采用光學鍍膜機加裝美國進口 KRi 大尺寸射頻離子源 RFICP 380 鍍制222nmUVC 紫外濾光片, 選取紫外通光性能及高低折射率較好的基底和材料, 鍍膜效果可達到客戶高品質(zhì)要求.

 

KRI 離子源用于UVC人機共存紫外濾光片鍍膜

 

上海伯東美國進口 KRi 大尺寸射頻離子源 RFICP 380輔助沉積鍍制222nm紫外濾光片, 能夠盡可能地減小材料在紫外波段的吸收, 并且沉積過程穩(wěn)定, 加以合理的膜系設計和均勻性修正, 可以很好地鍍制出透過率高、截止深度高、溫度漂移小、膜層致密性好、使用壽命長的產(chǎn)品, 解決業(yè)內(nèi)在紫外波段鍍膜透過率不高以及溫漂的難題.

 

上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長! 射頻離子源 RFICP 系列提供完整的系列, 包含離子源本體, 電子供應器, 中和器, 自動控制器等. 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.

 

 

射頻離子源 RFICP 系列技術(shù)參數(shù):

 

型號

RFICP 40

RFICP 100

RFICP 140

RFICP 220

RFICP 380

Discharge 陽極

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

離子束流

>100 mA

>350 mA

>600 mA

>800 mA

>1500 mA

離子動能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

柵極直徑

4 cm Φ

10 cm Φ

14 cm Φ

22 cm Φ

38 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射


流量

3-10 sccm

5-30 sccm

5-30 sccm

10-40 sccm

15-50 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

長度

12.7 cm

23.5 cm

24.6 cm

30 cm

39 cm

直徑

13.5 cm

19.1 cm

24.6 cm

41 cm

59 cm

中和器

LFN 2000 or RFN

 

KRI 考夫曼離子源其余相關應用:

 

美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機應用   

離子源表面預清潔 Pre-clean 應用  

伯東 KRI 考夫曼離子源 KDC 160 輔助沉積高鋁超硬涂層增強切削性能  

 

 

相關產(chǎn)品:

美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 160 

伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 75  

美國 KRI 考夫曼離子源 Gridded KDC 系列  

KRI 考夫曼離子源 KDC 100  

美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 40 

美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 10  

 

上海伯東同時提供真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域.

若您需要進一步的了解詳細信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡方式:
上海伯東: 羅小姐


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