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集成電路清洗用超純水設(shè)備

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更新時(shí)間：2022-12-06 17:24:21瀏覽次數(shù)：72次

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萊特萊德北京水處理設(shè)備公司

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

詳細(xì)介紹

　　半導(dǎo)體、集成電路芯片及封裝、液晶顯示、高精度線路板、光電器件、各種電子器件、微電子工業(yè)、大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路需用大量的高純水、超純水清洗半成品、成品。集成電路的集成度越高，對(duì)水質(zhì)的要求也越高。目前我國(guó)電子工業(yè)部把電子級(jí)水質(zhì)技術(shù)分為五個(gè)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，分別為18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、0.5MΩ.cm，以區(qū)分不同水質(zhì)。

　　電子行業(yè)制備超水的工藝大致分成以下幾種：

　　1、采用離子交換樹(shù)脂制備超純水的傳統(tǒng)水處理方式，其基本工藝流程為：原水→沙炭過(guò)濾器→精密過(guò)濾器→原水箱→陽(yáng)床→陰床→混床(復(fù)床)→純水箱→純水泵→后置精密過(guò)濾器→用水點(diǎn)

　　2、采用反滲透水處理設(shè)備與離子交換設(shè)備進(jìn)行組合的方式，其基本工藝流程為：原水→沙炭過(guò)濾器→精密過(guò)濾器→原水箱→反滲透設(shè)備→混床(復(fù)床)→純水箱→純水泵→后置精密過(guò)濾器→用水點(diǎn)

　　3、采用反滲透水處理設(shè)備與電去離子(EDI)設(shè)備進(jìn)行搭配的的方式，這是一種制取超純水的工藝，也是一種環(huán)保，經(jīng)濟(jì)，發(fā)展?jié)摿薮蟮某兯苽涔に?，其基本工藝流程為：原?rarr;沙炭過(guò)濾器→精密過(guò)濾器→原水箱→反滲透設(shè)備→電去離子(EDI)→純水箱→純水泵→后置精密過(guò)濾器→用水點(diǎn)

　　電子工業(yè)用超純水的應(yīng)用領(lǐng)域

　　1、半導(dǎo)體材料、器件、印刷電路板和集成電路;

　　2、超純材料和超純化學(xué)試劑;

　　3、實(shí)驗(yàn)室和中試車間;

　　4、汽車、家電表面拋光處理;

　　5、光電產(chǎn)品;

　　6、其他高科技精微產(chǎn)品;

　　制備電子工業(yè)用超純水的工藝流程

　　三種制備電子工業(yè)用超純水的工藝比較

　　目前制備電子工業(yè)用超純水的工藝基本上是以上三種，其余的工藝流程大都是在以上三種基本工藝流程的基礎(chǔ)上進(jìn)行不同組合搭配衍生而來(lái)?，F(xiàn)將他們的優(yōu)缺點(diǎn)分別列于下面：

　　1、種采用離子交換樹(shù)脂其優(yōu)點(diǎn)在于初投資少，占用的地方少，但缺點(diǎn)就是需要經(jīng)常進(jìn)行離子再生，耗費(fèi)大量酸堿，而且對(duì)環(huán)境有一定的破壞。

　　2、第二種采用反滲透作為預(yù)處理再配上離子交換設(shè)備，其特點(diǎn)為初投次比采用離子交換樹(shù)脂方式要高，但離子設(shè)備再生周期相對(duì)要長(zhǎng)，耗費(fèi)的酸堿比單純采用離子樹(shù)脂的方式要少很多。但對(duì)環(huán)境還是有一定的破壞性。

　　3、第三種采用反滲透作預(yù)處理再配上電去離子(EDI)裝置，這是目前制取超純水經(jīng)濟(jì)，環(huán)保用來(lái)制取超純水的工藝，不需要用酸堿進(jìn)行再生便可連續(xù)制取超純水，對(duì)環(huán)境沒(méi)什么破壞性。其缺點(diǎn)在于初投資相對(duì)以上兩種方式過(guò)于昂貴。

　　電子超純水設(shè)備特點(diǎn)

　　設(shè)備通常由多介質(zhì)過(guò)濾器，活性碳過(guò)濾器，鈉離子軟化器、精密過(guò)濾器等構(gòu)成前期預(yù)處理系統(tǒng)、RO反滲透主機(jī)系統(tǒng)、離子交換混床(EDI電除鹽系統(tǒng))系統(tǒng)等構(gòu)成主要設(shè)備系統(tǒng)。水箱均設(shè)有液位控制系統(tǒng)、水泵均設(shè)有壓力保護(hù)裝置、在線水質(zhì)檢測(cè)控制儀表、電氣采用PLC可編程控制器，真正做到了無(wú)人職守，同時(shí)在工藝選材上采用推薦和客戶要求相統(tǒng)一的方法，使設(shè)備與其它同類產(chǎn)品相比較，具有更高的性價(jià)比和設(shè)備可靠性。

　　所需注意事項(xiàng)：

　　1. 確認(rèn)RO系統(tǒng)操作是否正常：

　　建議 RO 系統(tǒng)操作穩(wěn)定后,才將進(jìn)流水切換至 CEDI模塊系統(tǒng),以避免 RO 啟動(dòng)初期水質(zhì)較差,影響模塊性能。

　　2. 檢測(cè)進(jìn)流水水質(zhì)：

　　檢測(cè)進(jìn)流水水質(zhì),以確認(rèn)進(jìn)流水質(zhì)符合要求,檢測(cè) 項(xiàng)目至少包括導(dǎo)電度、總硬度、二氧化矽、總氯及 CO2.若水質(zhì)有任一項(xiàng)不符前述進(jìn)流水質(zhì)要求,即不可將水汲入 CEDI模塊模塊,并需檢查前處理是否有問(wèn)題. 若進(jìn)流水 CO2 濃度太高(超過(guò)5ppm),即不建議將濃縮水回流至 RO 系統(tǒng)前貯槽(除非先將 CO2 去除),以避免造成 CO2 累積,影響產(chǎn)水水質(zhì)。

　　3. 清洗管路：

　　為避免管路中殘留管屑等污染物進(jìn)入模塊造成堵塞,建議在未試車前(包括架臺(tái)配管時(shí)),先不要將原廠所附進(jìn)出口之紅色套頭取出(但試車前一定要將該物取出). 在水進(jìn)入模塊前,需先確定其前處理管路中已無(wú)管屑等污染物.建議於啟動(dòng)前先將模塊進(jìn)水接頭拆開(kāi),并以 RO 水沖洗管路。

　　4. 測(cè)試各項(xiàng)安全保護(hù)裝置：

　　1.)測(cè)試進(jìn)流水泵浦與 CEDI模塊連動(dòng)裝置測(cè)試進(jìn)流水泵浦與 CEDI模塊連動(dòng)裝置,使得 CEDI模塊只有在進(jìn)流泵浦啟動(dòng)時(shí)才開(kāi)啟電源,且當(dāng) CEDI模塊電源沒(méi)有開(kāi)啟一段時(shí)間后要關(guān)閉進(jìn)流水泵浦。

　　2.)流量開(kāi)關(guān)測(cè)試：?jiǎn)?dòng)前需先測(cè)試流量開(kāi)關(guān)是否會(huì)動(dòng)作,亦即沒(méi)水時(shí)電源關(guān)閉,通水啟動(dòng)流量開(kāi)關(guān)后(回路連通),直流電源才供應(yīng)至模塊。

　　5. 系統(tǒng)啟動(dòng)注意事項(xiàng)：

　　1.)當(dāng)上述安全保護(hù)測(cè)試完成后,再一次檢查管路閥門(mén)開(kāi)關(guān),確定閥門(mén)開(kāi)關(guān)正確后,才啟動(dòng)進(jìn)流泵浦。

　　2.)進(jìn)流泵浦啟動(dòng)后,檢查電源供應(yīng)是否正常啟動(dòng)。例如,以Ionpure 原廠顯示板為例,顯示板上燈號(hào)會(huì)由 Standby 跳至 On,若無(wú),先關(guān)閉進(jìn)流泵浦,并檢查流量開(kāi)關(guān)及各接線是否正常。

　　3.)進(jìn)流泵浦啟動(dòng)后,以手動(dòng)閥，初期產(chǎn)水調(diào)整為 90%。

　　4.)剛啟動(dòng)時(shí),先將電流調(diào)小(例如 0.5A),確定水流及電源沒(méi)問(wèn)題后, 再將電流慢慢調(diào)整到軟體計(jì)算所需之電流值(與進(jìn)流水質(zhì)、水量相關(guān)),觀察電壓及出水水質(zhì). 啟動(dòng)初期水質(zhì)可能較差,切勿因水質(zhì)不佳,即貿(mào)然調(diào)高電流至遠(yuǎn)超過(guò)軟體所計(jì)算之值. 例如:進(jìn)流水質(zhì)導(dǎo)電度– 10μs/cm, CO2 – 8mg/l, SiO2 – 0.2mg/l 時(shí), 以計(jì)算軟體計(jì)算所需之電流為2.43 安培,則設(shè)定電流在約 2.5 安培，切勿一開(kāi)始即將電流調(diào)整超過(guò)該值(例如4.0 安培),以避免損壞模塊。

　　5.)觀察進(jìn)出水壓力,并以手動(dòng)閥調(diào)整,使產(chǎn)水水壓略高於濃縮水壓約 2-5psi(若產(chǎn)水出口壓力低於濃縮水壓力,會(huì)影響產(chǎn)水水質(zhì))。

　　6.)為避免 CEDI模塊啟動(dòng)初期產(chǎn)水水質(zhì)不佳,建議於產(chǎn)水端設(shè)置二只自動(dòng)控制閥,并以 PLC 控制：當(dāng)產(chǎn)水水質(zhì)低於要求時(shí),將CEDI模塊產(chǎn)水回流至 CEDI模塊前貯槽,當(dāng)水質(zhì)高過(guò)設(shè)定水質(zhì)時(shí),才切換至下一處理設(shè)備。

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