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單晶硅壓力變送器

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單晶硅壓力變送器具有0.075%超高測(cè)量精度，100:1寬量程比，穩(wěn)定性高、響應(yīng)速度快、可靠性高，自帶HART通訊功能方便手操器調(diào)試，具有本質(zhì)安全型、隔爆型、選配多種隔離膜片結(jié)構(gòu)，多種過(guò)程連接標(biāo)準(zhǔn)，

詳細(xì)介紹

一、單晶硅壓力變送器工作原理

利用單晶硅的壓阻效應(yīng)而構(gòu)成。采用單晶硅片為彈性元件，在單晶硅膜片上利用集成電路的工藝，在單晶硅的特定方向擴(kuò)散一組等值電阻，并將電阻接成橋路，單晶硅片置于傳感器腔內(nèi)。當(dāng)壓力發(fā)生變化時(shí)，單晶硅產(chǎn)生應(yīng)變，使直接擴(kuò)散在上面的應(yīng)變電阻產(chǎn)生與被測(cè)壓力成比例的變化，再由橋式電路獲得相應(yīng)的電壓輸出信號(hào)。

二、單晶硅壓力變送器技術(shù)參數(shù)

測(cè)量范圍
相對(duì)壓力：0～400Pa～35MPa

J.D壓力：0～1.75KPa～35MPa
信號(hào)輸出
4-20mA +HART通訊協(xié)議（兩線制）

測(cè)量精度
綜合誤差：0.1%（包括線性度、重復(fù)性、遲滯），特殊要求可定0.075%

長(zhǎng)期穩(wěn)定性
每年優(yōu)于0.15%F.S
五年優(yōu)于0.2%F.S
溫度范圍

允許介質(zhì)溫度：（-40～120）℃

允許環(huán)境溫度：（-40～85）℃

允許儲(chǔ)存溫度：（-40～85）℃

溫度影響
相對(duì)于25℃：≤±0.4%標(biāo)準(zhǔn)量程

阻尼時(shí)間
0~40S連續(xù)可調(diào)

抗震動(dòng)：2g 1000HZ ±0.05%g

抗沖擊：50g 11mesc