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高頻介電常數(shù)測(cè)試儀10K-70MHZ

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產(chǎn)品型號(hào)GDAT-A

品       牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地廊坊市

更新時(shí)間:2022-01-17 13:41:27瀏覽次數(shù):240次

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高頻介電常數(shù)測(cè)試儀10K-70MHZ在標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下,不含二氧化碳的干燥空氣的相對(duì)電容率%等于L 000 53o因此,用這種電極構(gòu) 形在空氣中的電容G來(lái)代替G測(cè)量相對(duì)電容率%時(shí),也有足夠的精確度。
在一個(gè)測(cè)量系統(tǒng)中,絕緣材料的電容率是在該系統(tǒng)中絕緣材料的相對(duì)電容率%與真空電氣常數(shù)気 的乘積。

高頻介電常數(shù)測(cè)試儀10K-70MHZ電氣絕緣材料的性能和用途電介質(zhì)的用途電介質(zhì)一般被用在兩個(gè)不同的方面:用作電氣回路元件的支撐,并且使元件對(duì)地絕緣及元件之間相互絕緣;

用作電容器介質(zhì)。影響介電性能的因素下面分別討論頻率、溫度、濕度和電氣強(qiáng)度對(duì)介電性能的影響。

因?yàn)橹挥猩贁?shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的%和切澎幾乎是恒 定的,且被用作工程電介質(zhì)材料,然而一般的電介質(zhì)材料必須在所使用的頻率下測(cè)量其介質(zhì)損耗因數(shù)和 電容率。電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的變化是由于介質(zhì)極化和電導(dǎo)而產(chǎn)生,最重要的變化是極性分子引起的偶 極子極化和材料的不均勻性導(dǎo)致的界面極化所引起的。

溫度損耗指數(shù)在一個(gè)頻率下可以出現(xiàn)一個(gè)最大值,這個(gè)頻率值與電介質(zhì)材料的溫度有關(guān).介質(zhì)損耗因 數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負(fù)的,這取決于在測(cè)量溫度下的介質(zhì)損耗指數(shù)最大值位置。濕度極化的程度隨水分的吸收量或電介質(zhì)材料表面水膜的形成而增加,其結(jié)果使電容率、介質(zhì)損耗因數(shù) 和直流電導(dǎo)率增大。因此試驗(yàn)前和試驗(yàn)時(shí)對(duì)環(huán)境濕度進(jìn)行控制的.

工作特性

   1.Q值測(cè)量

   a.Q值測(cè)量范圍:2~1023;

   b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔;

c.標(biāo)稱誤差

 


A

A

頻率范圍

25kHz~10MHz

100kHz

固有誤差

≤5%±滿度值的2%

≤5%±滿度值的2%

工作誤差

≤7%±滿度值的2%

≤7%±滿度值的2%

頻率范圍

10MHz~60MHz

10MHz

固有誤差

≤6%±滿度值的2%

≤6%±滿度值的2%

工作誤差

≤8%±滿度值的2%

≤8%±滿度值的2%

注:濕度的顯著影響常常發(fā)生在1 MHz以下及微波頻率范圍內(nèi)。

電場(chǎng)強(qiáng)度存在界面極化時(shí),自由離子的數(shù)目隨電場(chǎng)強(qiáng)度增大而增加,其損耗指數(shù)最大值的大小和位置也隨此 而變。

在較高的頻率下,只要電介質(zhì)中不出現(xiàn)局部放電,電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)與電場(chǎng)強(qiáng)度無(wú)關(guān)。

高頻介電常數(shù)測(cè)試儀10K-70MHZ在測(cè)定電容率需要較高精度時(shí),最大的誤差來(lái)自試樣尺寸的誤差,尤其是試樣厚度的誤差,因此厚 度應(yīng)足夠大,以滿足測(cè)量所需要的精確度。厚度的選取決定于試樣的制備方法和各點(diǎn)間厚度的變化。 對(duì)1%的精確度來(lái)講,1. 5 mm的厚度就足夠了,但是對(duì)于更高精確度,最好是采用較厚的試樣,例如 6 mm?12 mm。測(cè)量厚度必須使測(cè)量點(diǎn)有規(guī)則地分布在整個(gè)試樣表面上,且厚度均勻度在± 1 %內(nèi)。 如果材料的密度是已知的,則可用稱量法測(cè)定厚度。選取試樣的面積時(shí)應(yīng)能提供滿足精度要求的試樣 電容。測(cè)量10 pF的電容時(shí),使用有良好屏蔽保護(hù)的儀器。由于現(xiàn)有儀器的極限分辨能力約1 pF,因此 試樣應(yīng)薄些,直徑為10 cm或更大些。需要測(cè)低損耗因數(shù)值時(shí),很重要的一點(diǎn)是導(dǎo)線串聯(lián)電阻引入的損耗要盡可能地小,即被測(cè)電容和該 電阻的乘積要盡可能小。同樣,被測(cè)電容對(duì)總電容的比值要盡可能地大。第一點(diǎn)表示導(dǎo)線電阻要盡可 能低及試樣電容要小,第二點(diǎn)表示接有試樣橋臂的總電容要盡可能小,且試樣電容要大,因此試樣電 容最好取值為20 pF,在測(cè)量回路中,與試樣并聯(lián)的電容不應(yīng)大于約5 pF0


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