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AB模塊

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產(chǎn)品型號1761-NET-ENI

品       牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地廈門市

更新時間:2020-06-09 16:11:52瀏覽次數(shù):212次

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AB模塊絕緣柵雙極晶體管是MOS結(jié)構(gòu)雙極器件,屬于具有功率MOSFET的高速性能與雙極的低電阻性能的功率器件。IGBT的應(yīng)用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區(qū)域

AB模塊

AB模塊

1.功能強大。兼容三菱FX3G/FX3U/FX3S系列PLC,運行速度快

2.高速集成。開關(guān)量zui多40入40出,開關(guān)量輸出可選晶體管/繼電器/混合輸出,模擬量zui多20入8出

。編程口為圓頭RS232,也采用MiniB型usb口編程,多可選裝2個RS485或1個RS232/1個RS458通訊

口/可選裝CAN總線
3.支持多路高速計數(shù)和高速脈沖。高速計數(shù)zui多6路單相高達60KHz或2-3路AB(Z)相,2倍頻高達

60KHz,4倍頻高達24Hz;高速脈沖可支持8路100KHz,其中,常規(guī)Y0~Y3每路100KHz,Y4~Y7每路

8KHz(可特殊定做成100KHz)。
4.可特殊加密。8位加密,密碼設(shè)置12345678可*禁止讀取數(shù)據(jù)
5.接線方便。采用5.0MM間距可插撥端子
6.安裝便捷??刹捎肈IN導(dǎo)軌(35mm寬)和固定孔安裝。更多規(guī)格批量可定制

多使用在工業(yè)用電機、民用小容量電機、變換器(逆變器)、照像機的頻閃觀測器、感應(yīng)加熱(InductionHeating)電飯鍋等領(lǐng)域。根據(jù)封裝的不同,IGBT大致分為兩種類型,一種是模壓樹脂密封的三端單體封裝型,從TO-3P到小型表面貼裝都已形成系列。另一種是把IGBT與FWD (FleeWheelDiode)成對地(2或6組)封裝起來的模塊型,主要應(yīng)用在工業(yè)上。模塊的類型根據(jù)用途的不同,分為多種形狀及封裝方式,都已形成系列化。 
IGBT是強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進化。MOSFET由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然**一代功率MOSFET器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 高出很多。IGBT較低的壓降,轉(zhuǎn)換成一個低VCE(sat)的能力,以及IGBT的結(jié)構(gòu),與同一個標(biāo)準(zhǔn)雙極器件相比,可支持更高電流密度,并簡化 IGBT驅(qū)動器的原理圖

 

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