T3Ster熱阻測(cè)試儀用于測(cè)試IC、LED、散熱器、熱管等電子器件的熱特性。T3Ster基于*的JEDEC ‘Static Method’測(cè)試方法（JESD51-1），通過(guò)改變電子器件的輸入功率，使得器件產(chǎn)生溫度變化，在變化過(guò)程中，T3Ster測(cè)試出芯片的瞬態(tài)溫度響應(yīng)曲線，僅在幾分鐘之內(nèi)即可分析得到關(guān)于該電子器件的全面的熱特性。

T3Ster熱阻測(cè)試儀T3Ster熱阻測(cè)試儀

 

 

用于測(cè)試IC、LED、散熱器、熱管等電子器件的熱特性。T3Ster基于*的JEDEC ‘Static Method’測(cè)試方法（JESD51-1），通過(guò)改變電子器件的輸入功率，使得器件產(chǎn)生溫度變化，在變化過(guò)程中，T3Ster測(cè)試出芯片的瞬態(tài)溫度響應(yīng)曲線，僅在幾分鐘之內(nèi)即可分析得到關(guān)于該電子器件的全面的熱特性。T3Ster測(cè)試技術(shù)不是基于“脈沖方法”的熱測(cè)試儀，“脈沖方法”由于是基于延時(shí)測(cè)量的技術(shù)所以其測(cè)出的溫度瞬態(tài)測(cè)試曲線精度不高，而T3Ster 采用的是“運(yùn)行中”的實(shí)時(shí)測(cè)量的方法，結(jié)合其精密的硬件可以快速精確撲捉到高信噪比的溫度瞬態(tài)曲線。

      T3Ster運(yùn)用*的JEDEC穩(wěn)態(tài)實(shí)時(shí)測(cè)試方法（JESD51-1），專(zhuān)業(yè)測(cè)試各類(lèi)IC（包括二極管、三極管、MOSFET、SOC、MEMS等）、LED、散熱器、熱管、PCB及導(dǎo)熱材料等的熱阻、熱容及導(dǎo)熱系數(shù)、接觸熱阻等熱特性。配合專(zhuān)為L(zhǎng)ED產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)的選配件TERALED可以實(shí)現(xiàn)LED器件和組件的光熱一體化測(cè)量。

      符合JEDEC JESD51-1和MIL-STD-750E標(biāo)準(zhǔn)法規(guī)。

 

 

T3Ster熱阻測(cè)試儀工作原理

T3Ster設(shè)備提供了非破壞性的熱測(cè)試方法，其原理為：
1) 首先通過(guò)改變電子器件的功率輸入；
2) 通過(guò)TSP (Temperature Sensitive Parameter熱敏參數(shù))測(cè)試出電子器件的瞬態(tài)溫度變化曲線；
3) 對(duì)溫度變化曲線進(jìn)行數(shù)值處理，抽取出結(jié)構(gòu)函數(shù)；
4) 從結(jié)構(gòu)函數(shù)中自動(dòng)分析出熱阻和熱容等熱屬性參數(shù)。