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BP220系列硅壓阻壓力/溫度組合傳感器

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數(shù)字化系統(tǒng)協(xié)同設(shè)計(jì)、MEMS工藝制造微一體化、同步測(cè)量壓力和溫度

詳細(xì)介紹

1、主要特點(diǎn)：
數(shù)字化系統(tǒng)協(xié)同設(shè)計(jì)、MEMS工藝制造
微一體化、同步測(cè)量壓力和溫度
一體化封裝結(jié)構(gòu)堅(jiān)固可靠、性能穩(wěn)定
多種壓力與溫度類(lèi)型組合、量程范圍寬
適于壓力傳感器智能化

2、主要性能技術(shù)指標(biāo)

序號(hào)
項(xiàng)目
規(guī)格指標(biāo)
備注
1
組合敏感類(lèi)型
表壓-溫度
絕壓-溫度
差壓-靜壓-溫度
表壓-絕壓-溫度

2
壓力敏感芯片類(lèi)型
PN結(jié),SOI

3
溫度元件類(lèi)型
擴(kuò)散硅、薄膜鉑電阻
1^*
4
基準(zhǔn)壓力量程
表壓、
絕壓
差壓
靜壓

20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa、6MPa、10MPa、30MPa
100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa 6MPa、10MPa、30MPa、60MPa
0～1kPa、6kPa、10kPa、30kPa 、60kPa、100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa、6MPa
1MPa、6MPa
10MPa
30MPa
1^*

壓力過(guò)載能力
表壓、絕壓?jiǎn)蜗颉?/span>3（≤10MPa）、≥1. 5倍基準(zhǔn)量程（＞10MPa）、≥1. 25倍基準(zhǔn)量程（≥60MPa）
差壓雙向≥4倍基準(zhǔn)量程
2^*

被測(cè)介質(zhì)
與金屬、單晶硅兼容的非腐蝕性、絕緣氣體和液體

壓力橋路電阻
3～5kΩ、

4
零點(diǎn)輸出
≤ ±1mV
3^*
5
壓力滿(mǎn)量程輸出
≥20mV（20kPa、35kPa）；≥30 mV（20kPa、30kPa）；≥50 mV（其它基準(zhǔn)量程）
3^*
6
壓力準(zhǔn)確度
≤ ±0.25%FS（典型值）
3^*、4^*
7
差壓靈敏度對(duì)稱(chēng)性
≤ ±0.3%FS（典型值）

8
工作溫度
-55～+125℃（PN結(jié)）,-55～+180℃（SOI）
5^*、1^*
9
零點(diǎn)熱漂移
PN結(jié)：≤±1.5%FS/55℃（≤10kPa）；≤±1%F.S /55℃（其它基準(zhǔn)量程）
3^*、6^*
SOI：≤± 1%FS/55℃（≤10kPa）≤± 0.8%F.S /55℃（其它基準(zhǔn)量程）
10
滿(mǎn)量程熱漂移
PN結(jié)芯片：≤1.5%FS/55℃（≤10kPa）；≤±1%F.S /55℃（其它基準(zhǔn)量程）
3^*、6^*
SOI芯片：≤±1%FS/55℃（≤10kPa）≤± 0.8%F.S /55℃（其它基準(zhǔn)量程）
11
絕緣電阻
>100MW
8^*
12
短期穩(wěn)定性
±0.05%FS/8h
3^*
13
長(zhǎng)期穩(wěn)定性
≤±0.1%FS/年（PN結(jié)）；≤±0.08%FS/年（SOI）
3^*
14
激勵(lì)電源
恒流0.5～1.5mA,或恒壓5V～10V

15
熱敏電阻阻值
擴(kuò)散硅40～60kΩ；鉑薄膜Pt100、Pt200、Pt500、Pt500

16
熱電阻溫度系數(shù)
擴(kuò)散硅≥30Ω/℃；鉑薄膜3850ppm/℃

電氣連接模式
接插件、多芯線(xiàn)纜

17
測(cè)量接口形式
螺紋、法蘭

注：1^*.可用戶(hù)定制；
2^*.表壓和絕壓量程上限之差≤最小量程上限3倍；
3^*. 5VDC恒壓激勵(lì)，恒溫25℃；
4^*.非線(xiàn)性數(shù)據(jù)計(jì)算為最小二乘法；
5^*.-55℃為器件溫度，125℃為PN結(jié)器件溫度；
6^*.55℃溫區(qū)為-30～25℃或25～80；

注：可提供定制服務(wù)，如有需求請(qǐng)與營(yíng)銷(xiāo)人員聯(lián)系。

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序號(hào)	項(xiàng)目	規(guī)格指標(biāo)								備注
1	組合敏感類(lèi)型	表壓-溫度	絕壓-溫度		差壓-靜壓-溫度			表壓-絕壓-溫度
2	壓力敏感芯片類(lèi)型	PN結(jié),SOI
3	溫度元件類(lèi)型	擴(kuò)散硅、薄膜鉑電阻								1^*
4	基準(zhǔn)壓力量程	表壓、		絕壓		差壓			靜壓
		20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa、6MPa、10MPa、30MPa		100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa 6MPa、10MPa、30MPa、60MPa		0～1kPa、6kPa、10kPa、30kPa 、60kPa、100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa、6MPa			1MPa、6MPa 10MPa 30MPa	1^*
	壓力過(guò)載能力	表壓、絕壓?jiǎn)蜗颉?/span>3（≤10MPa）、≥1. 5倍基準(zhǔn)量程（＞10MPa）、≥1. 25倍基準(zhǔn)量程（≥60MPa）					差壓雙向≥4倍基準(zhǔn)量程			2^*
	被測(cè)介質(zhì)	與金屬、單晶硅兼容的非腐蝕性、絕緣氣體和液體
	壓力橋路電阻	3～5kΩ、
4	零點(diǎn)輸出	≤ ±1mV								3^*
5	壓力滿(mǎn)量程輸出	≥20mV（20kPa、35kPa）；≥30 mV（20kPa、30kPa）；≥50 mV（其它基準(zhǔn)量程）								3^*
6	壓力準(zhǔn)確度	≤ ±0.25%FS（典型值）								3^、4^
7	差壓靈敏度對(duì)稱(chēng)性	≤ ±0.3%FS（典型值）
8	工作溫度	-55～+125℃（PN結(jié)）,-55～+180℃（SOI）								5^、1^
9	零點(diǎn)熱漂移	PN結(jié)：≤±1.5%FS/55℃（≤10kPa）；≤±1%F.S /55℃（其它基準(zhǔn)量程）								3^、6^
		SOI：≤± 1%FS/55℃（≤10kPa）≤± 0.8%F.S /55℃（其它基準(zhǔn)量程）
10	滿(mǎn)量程熱漂移	PN結(jié)芯片：≤1.5%FS/55℃（≤10kPa）；≤±1%F.S /55℃（其它基準(zhǔn)量程）								3^、6^
		SOI芯片：≤±1%FS/55℃（≤10kPa）≤± 0.8%F.S /55℃（其它基準(zhǔn)量程）
11	絕緣電阻	>100MW								8^*
12	短期穩(wěn)定性	±0.05%FS/8h								3^*
13	長(zhǎng)期穩(wěn)定性	≤±0.1%FS/年（PN結(jié)）；≤±0.08%FS/年（SOI）								3^*
14	激勵(lì)電源	恒流0.5～1.5mA,或恒壓5V～10V
15	熱敏電阻阻值	擴(kuò)散硅40～60kΩ；鉑薄膜Pt100、Pt200、Pt500、Pt500
16	熱電阻溫度系數(shù)	擴(kuò)散硅≥30Ω/℃；鉑薄膜3850ppm/℃
	電氣連接模式	接插件、多芯線(xiàn)纜
17	測(cè)量接口形式	螺紋、法蘭

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